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芯导科技(688230.SH):第三代半导体650V GaN HEMT居品已初步酿成系列化

时间:2026-06-24 09:19:34 点击:158 次

格隆汇5月17日丨芯导科技(688230.SH)近日在宽待机构投资者调研时示意,公司在对现存居品进行升级迭代的同期,也在不停丰富居品声威。公司第三代半导体650V GaN HEMT居品已初步酿成系列化,包含110mR~900mR范围,采用多种封装模式,在电源、PD快充适配器等领域重心执行。

IGBT居品方面,公司650V/1200V 100A以下小电流居品已初步酿成居品系列化,通流智商在25A~75A范围,采用TO-247/TO-247PLUS单管封装模式,当今在工业为止等领域重心执行。同期,公司1200V 100A 以上大电流居品野心和工艺平台建成,首颗1200V 200A芯片完成测试评价,参数一致性好,具有高可靠性和强鲁棒性。1200V 150A等系列化居品持续进行流片产出。大电流居品主要采用Econodual3/62mm等模块封装模式,重心在储能等新动力领域执行。

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